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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

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C.C large durable de bande de transistor de puissance de rf à la nitrure de gallium de 6GHz 25W 28 volts

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China C.C large durable de bande de transistor de puissance de rf à la nitrure de gallium de 6GHz 25W 28 volts wholesale
  • China C.C large durable de bande de transistor de puissance de rf à la nitrure de gallium de 6GHz 25W 28 volts wholesale

C.C large durable de bande de transistor de puissance de rf à la nitrure de gallium de 6GHz 25W 28 volts
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Numéro de type :VBE6003H
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1pcs
Détails d'emballage :emballage neutre
Capacité d'approvisionnement :10k
Délai de livraison :5-8 jours ouvrables
Condition :Tout neuf et original
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Mots clés du produit:

power rf mosfet

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