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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

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C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf

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C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf
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Numéro de type :VBE6006H
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1pcs
Capacité d'approvisionnement :10k
Délai de livraison :5-8 jours ouvrables
Détails d'emballage :emballage neutre
Condition :Tout neuf et original
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