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Chongqing Newsin Technology Co., Ltd

Ville:chongqing

Province / État:chongqing

Pays / Région:china

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GaN Templates 2 et 4 pouces

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Point d'origine :La Chine

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2 pouces GaN Templates :

Dimensions : ± 0.1mm de Ф 50.8mm
Épaisseur : 4 µm, µm 20 ; µm 4
Orientation : ± 0.5° du C-avion (0001)
Type de conduction : de type n (non dopé) ; de type n (SI-enduit) ; de type p (MG-enduit)
Résistivité (300K) : < 0,5 Ω·cm ; < 0,05 Ω·cm ; | 10 Ω·cm
Concentration en transporteur : < 5x1017 cm-3 ; > 1x1018 cm-3 ; > 6x1016 cm-3
Mobilité : | 300cm2/V·s ; | 200 cm2/V·s ; | 10 cm2/V·s
Densité de dislocation : Moins que cm2 5x108
Structure de substrat : GaN sur le saphir (norme : Option de SSP : DSP)
Superficie utilisable : > 90%

4 pouces GaN Templates :

Dimensions : ± 0.1mm de Ф 50.8mm
Épaisseur : 4 µm, µm 20 ; µm 4
Orientation : ± 0.5° du C-avion (0001)
Type de conduction : de type n (non dopé) ; de type n (SI-enduit) ; de type p (MG-enduit)
Résistivité (300K) : < 0,5 Ω·cm ; < 0,05 Ω·cm : | 10 Ω·cm
Concentration en transporteur : < 5x1017 cm-3 ; > 1x1018 cm-3 ; > 6x1016 cm-3
Mobilité : | 300cm2/V·s ; | 200 cm2/V·s ; | 10 cm2/V·s
Densité de dislocation : Moins que cm2 5x108
Structure de substrat : GaN sur le saphir (norme : Option de SSP : DSP)
Superficie utilisable : > 90%

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