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Chongqing Newsin Technology Co., Ltd

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Province / État:chongqing

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GaN Substrates libre

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Point d'origine :La Chine

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2 pouces GaN Substrates libre

Dimensions : Ф 50,8 millimètres de ± 1 millimètre
Épaisseur : 350 µm du ± 25
Superficie utilisable : > 90%
Orientation : C-avion (0001) outre d'angle vers le M-axe 0.35°± 0.15°
Appartement d'orientation : ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1,0 millimètres
Appartement secondaire d'orientation : ± 3°, (de 11-20) ± 8,0 1,0 millimètres
Variation totale d'épaisseur : µm du ≤ 15
ARC : µm du ≤ 20
Type de conduction : de type n (non dopé) ; de type n (GE-enduit) ; Semi-isolant (Fe-enduit)
Résistivité (300K) : < 0,5 Ω·cm ; < 0,05 Ω·cm ; >106 Ω·cm
Densité de dislocation : cm2 1~9x105 ; cm2 5x105 ; cm2 ~3x106
cm2 1~9x105 ; cm2 1~3x106 ; cm2 1~3x106
Polonais : Front Surface : Ra < 0,2 nanomètres. Epi-prêt poli
Surface arrière : La terre fine

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