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2N7002P
Le 2N7002P est un transistor à effet de champ (MOSFET) à canal N à amélioration largement utilisé, reconnu pour sa polyvalence dans les circuits électroniques basse tension et basse consommation. Il appartient à la série 2N7000 de MOSFET, qui sont populaires dans des applications allant de la commutation de signaux à la gestion de l'alimentation dans l'électronique grand public, les systèmes automobiles et les appareils embarqués.
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Emballage
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Ruban (TR
Ruban découpé (CT
Bobine numérique
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État de la pièce
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Ne convient pas aux nouvelles conceptions
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Configuration
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2 canaux N (double canal)
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Caractéristiques FET
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Niveau logique de grille
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Tension drain-source (Vdss)
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60V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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320 ampères
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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1,6 ohms @ 500mA, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,4V @ 250µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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0,8nC @ 4,5V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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50pF @ 10V
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Puissance - Max
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420 milliwatts
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Température de fonctionnement
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150°C (milliards de fois)
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Classe
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Automobile
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Qualifications
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Certification AEC-Q100
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Type de montage
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Montage en surface
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Boîtier / Enveloppe
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Boîtier du fournisseur
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6-TSSOP
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Notre avantage :
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Liste de produits
Fournir une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, de composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à obtenir tout pour la nomenclature du PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,
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Forte en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.