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AON7534 MOSFET canal N 30V 10.5mΩ Rds(on) 60A continu DFN5x6-8L -55°C à +175°C AEC-Q101

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AON7534 30V MOSFET N-Channel 10,5mΩ Rds ((on) 60A Continu DFN5x6-8L -55°C à +175°C AEC-Q101

 

Description générale

• Technologie MOSFET à puissance de tranchée

• RDS très bas (allumé) à 4,5 VGS

• Faible charge de la porte

• Capacité de courant élevé

• Conforme à la réglementation RoHS et sans halogène

 

Application du projet

• Convertisseurs CC/DC dans les domaines de l'informatique, des serveurs et de la technologie de l'information

• Convertisseurs DC/DC isolés dans les télécommunications et l'industrie

 

Caractéristiques

Commutation de puissance à haut rendement

Voltage de sortie 30V: idéal pour les systèmes d'alimentation 12V/24V

60A courant continu (100A pulsé): Prend en charge la conduite de la charge à haute puissance

Perte de conduction extrêmement faible
Rds ((on) = 10,5m2 (Vgs=10V): réduit au minimum la dissipation de puissance, augmente l'efficacité

Optimisation de la commutation à haute fréquence
Charge à faible portée (Qg=38nC): permet un contrôle PWM à haute fréquence (jusqu'à 1MHz)

Commutation rapide: temps de montée/baisse < 20 ns

Fiabilité et protection
Testé à 100% en avalanche: assure la stabilité dans des conditions extrêmes

Certifié AEC-Q101: répond aux normes de fiabilité automobile

 

Densité de puissance de pointe: le paquet DFN5x6-8L est 80% plus petit que TO-220

Efficacité supérieure: 30% de perte de conduction inférieure par rapport aux MOSFET de 15mQ

Large plage de température: -55°C à +175°C pour les environnements difficiles

 

Les informations sont fournies à la Commission.

Catégorie
Mfr
Série
-
Emballage
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Statut de la partie
Pas pour les nouveaux modèles
Type de FET
Technologie
Voltage d'évacuation à la source (Vdss)
30 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maximum) @ Id
2.2V @ 250μA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maximum)
± 20 V
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds
1037 pF @ 15 V
Caractéristique FET
-
Dissipation de puissance (max)
Le nombre de cycles est calculé en fonction de l'intensité du courant.
Température de fonctionnement
-55°C à 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Monture de surface
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
Pour les appareils à commande numérique:
Emballage / boîtier
Numéro du produit de base

 

Le dessin

AON7534 MOSFET canal N 30V 10.5mΩ Rds(on) 60A continu DFN5x6-8L -55°C à +175°C AEC-Q101

Notre avantage:

  • Produits de haute qualité --- nos offres sont 100% neufs et originaux, ROHS
  • Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
  • Service professionnel --- test de qualité strict avant l'expédition, et service après-vente parfait après l'achat.
  • Inventaire adéquat --- Avec le soutien de notre solide équipe d'achat,
  • Livraison rapide --- nous expédierons les marchandises dans un délai de 1 à 3 jours ouvrables après confirmation du paiement.

 

Assurez-vous de répondre à vos besoins en toutes sortes de composants.Je suis désolé.


Liste des produits
Nous fournissons une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, des composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à obtenir tout pour la bombe du PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,


Les offres comprennent:
Circuit intégré, circuits intégrés de mémoire, diode, transistor, condensateur, résistant, varistor, fusible, découpage et potentiomètre, transformateur, batterie, câble, relais, commutateur, connecteur, bloc terminal,Crystal et oscillateur, inducteur, capteur, transformateur, pilote IGBT, LED, LCD, convertisseur, PCB (plaque de circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Une marque forte:
Il s'agit notamment de l'équipement électronique, de l'électronique électronique, de l'électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique électronique, de l'électronique électronique électronique

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