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| Fonction | Pas en avant, pas en arrière |
| Configuration de sortie | Positif ou négatif |
| Topologie | Buck, soutiens |
| Type de sortie | Réglable |
| Nombre de sorties | 1 |
Ce MOSFET HEXFET® Power dispose d'une configuration de canal double N+P avec un courant nominal de ±5,3 A et une tension de 20 V dans le paquet SOIC-8.il offre une commutation rapide et une efficacité élevée pour les applications de gestion de l'énergie tout en économisant de l'espace.
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets>Transistors et appareils électroniques>Les FET, les MOSFET |
| Produit de fabrication | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Emballage | Tape & Reel (TR) Tape coupée (CT) Digi-Reel® |
| Statut de la partie | Dépassé |
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 12 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | Pour les appareils de traitement des gaz, le régulateur doit être équipé d'un dispositif de régulation des gaz. |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 900 mV @ 250 μA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 38 nC @ 4,5 V |
| Vgs (maximum) | ± 8V |
| La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 8-SO |
| Emballage / boîtier | 8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm) |
| Numéro du produit de base | IRF7420 |
Nous fournissons une gamme complète de composants électroniques, y compris des semi-conducteurs, des composants actifs et passifs.