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IRFB260NPBF MOSFET canal N 200V 46A Ultra-faible 19mΩ Rds(on) Boîtier TO-220 Niveau logique Commutation rapide Haute robustesse Évaluation en avalanche pour la conversion de moteurs et d'alimentation
Caractéristiques
1 : Capacité haute tension: Une tension drain-source (Vds) de 200V, ce qui le rend adapté aux applications haute tension telles que les alimentations à découpage
(après redressement CA, par exemple, 85-265VAC), les entraînements de moteurs et les systèmes de contrôle.
2 : Gestion de courant élevée: Un courant de drain continu (Id @ 25 °C) de 46A, ce qui lui permet de gérer des courants élevés et d'offrir de solides capacités de traitement de la puissance.
3 : Pertes de conduction extrêmement faibles
: Une résistance drain-source à l'état passant maximale (Rds(on) @ Vgs=10V) de 19mΩ. C'est l'un de ses avantages les plus importants, car un faible Rds(on) signifie une perte de puissance et une génération de chaleur plus faibles pendant la conduction, améliorant ainsi l'efficacité globale du système.4 : Commande de niveau logique
: Une tension de commande standard de 10VRds On (Max) @ Id, Vgscircuit de commande simple par des microcontrôleurs (MCU), des DSP ou des sorties de circuits logiques (généralement 5V, 10V, 12V), simplifiant la conception.
5 : Performances de commutation rapides
: D'excellentes caractéristiques de commutation, telles qu'une faible charge de grille (Qg) et une vitesse de commutation rapide, aident à réduire la commutationles pertes, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications haute fréquence telles que les alimentations à découpage (SMPS).
6 : Haute robustesse et fiabilité
:Évaluation en avalanche
: Capable de résister à l'énergie d'avalanche, ce qui signifie qu'il est moins sujet aux dommages en cas de pics de tension extrêmes générés par les charges inductives pendant la coupure, assurant une grande fiabilité.
Mature
Boîtier TO-220FN offre une bonne résistance mécanique et facilite une gestion thermique efficace avec des dissipateurs thermiques.7 : Emballage respectueux de l'environnement
: Le produit est conforme aux normes RoHS et ne contient pas de substances dangereuses telles que le plomb.Applications
Convertisseurs CC-CC haute fréquence
Sans plomb
Description
1 : Alimentations à découpage (SMPS), en particulier la correction du facteur de puissance (PFC) et les convertisseurs CC-CC
2 : Entraînements de moteurs et systèmes de contrôle (par exemple, moteurs industriels, ESC de drones)
3 : Onduleurs CC-CA haute puissance (par exemple, onduleurs solaires)
4 : Commutation et commutation de charge à courant élevé
INFORMATION
Catégorie
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Produits à semi-conducteurs discrets
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Infineon Technologies
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HEXFET®
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Tube
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Statut de la pièce
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Actif
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Type de FET
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Canal N
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MOSFET (oxyde métallique)
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200 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25 °C
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56A (Tc)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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40mOhm @ 34A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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220 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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4220 pF @ 25 V
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Fonctionnalité FET
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-
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Type de montage
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380W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55 °C ~ 175 °C (TJ)
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Grade
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-
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Type de montage
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-
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Type de montage
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Trou traversant
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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TO-220AB
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Boîtier / Boîtier
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TO-220-3
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IRFB260
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Notre avantage :
téléphones, PDA, ordinateurs portablesProduits de haute qualité --- nos offres sont 100 % neuves et originales, ROHS
^_^Liste de produits
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