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IRFB4227PBF MOSFET 200V/195A avec Rds(on) ultra-faible de 4,5 mΩ Boîtier TO-220 Commutation rapide à niveau logique, évalué en avalanche Conception robuste à haut rendement pour le contrôle des moteurs et les systèmes d'alimentation
Caractéristiques
Technologie de processus avancée
Paramètres clés optimisés pour les applications de maintien PDP, de récupération d'énergie et de commutateur de passage
Faible indice EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans les applications de maintien PDP, de récupération d'énergie et de commutateur de passage
Faible QG pour une réponse rapide
Capacité de courant de crête répétitif élevée pour un fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour une commutation rapide
Température de jonction de fonctionnement de 175°C pour une robustesse améliorée
Capacité d'avalanche répétitive pour la robustesse et la fiabilité
Amplificateur audio de classe D 300W-500W (demi-pont)
Applications
1:Commande et contrôle de moteur:
C'est son scénario d'application le plus typique. Sa haute tension (200V), son courant extrêmement élevé (195A) et sa très faible résistance à l'état passant (4,5 mΩ) le rendent très efficace pour piloter et contrôler les moteurs CC haute puissance, les moteurs CC sans balais (BLDC) et les servomoteurs. Il est largement utilisé dans l'automatisation industrielle, la robotique, les véhicules électriques (par exemple, les contrôleurs de moteur), les ESC de drones (contrôleurs électroniques de vitesse), et plus encore.
2:Alimentations à découpage (SMPS):
Particulièrement adapté aux convertisseurs CC-CC à courant de sortie élevé, à la rectification synchrone et aux circuits de correction du facteur de puissance (PFC). Sa faible Rds(on) réduit considérablement les pertes par conduction, améliorant ainsi l'efficacité globale de l'alimentation.
3:Onduleurs de puissance:
Un choix idéal pour les ponts d'onduleur dans les onduleurs photovoltaïques solaires, les onduleurs UPS (alimentations sans interruption), les convertisseurs de fréquence et les machines à souder, où il convertit l'alimentation CC en alimentation CA.
4:Commutation et commutation de charge à courant élevé:
Peut être utilisé pour construire des relais statiques, des commutateurs de charge électroniques et d'autres dispositifs pour contrôler les charges CC haute puissance.
Description
Ce MOSFET de puissance HEXFET® est spécialement conçu pour les applications de maintien, de récupération d'énergie et de commutateur de passage dans les écrans plasma. Ce MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance à l'état passant par zone de silicium et une faible valeur EpuLsE. Les caractéristiques supplémentaires de ce MOSFET sont une température de jonction de fonctionnement de 175°C et une capacité de courant de crête répétitif élevée. Ces caractéristiques se combinent pour faire de ce MOSFET un dispositif très efficace, robuste et fiable pour les applications de pilotage PDP.
INFORMATION
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Catégorie
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Mfr
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Série
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Emballage
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Tube
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Statut de la pièce
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Tension drain-source (Vdss)
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200 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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24mOhm @ 46A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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5V @ 250µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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98 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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4600 pF @ 25 V
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Caractéristique FET
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-
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Dissipation de puissance (Max)
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330W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Grade
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-
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Qualification
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-
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Type de montage
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Trou traversant
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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TO-220AB
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Boîtier / Boîtier
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Numéro de produit de base
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Dessin
Notre avantage :téléphones, PDA, ordinateurs portables
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Liste de produits
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