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STF28NM50N MOSFET de puissance 500V/28A, faible résistance 0,135Ω Rds(on), commutation rapide, robuste en avalanche, mode Eco, faible charge de grille, boîtier TO-220FP, certifié RoHS pour SMPS et entraînements de moteurs
Caractéristiques
• Testé à 100% en avalanche
• Faible capacité d'entrée et charge de grille
• Faible résistance d'entrée de grille
Applications
• Applications de commutation
Description
Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance à canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à la disposition en bandes de l'entreprise pour obtenir l'une des résistances à l'état passant et des charges de grille les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
INFORMATIONS
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Catégorie
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Fabricant
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Série
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Emballage
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Tube
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Statut de la pièce
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Tension drain-source (Vdss)
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500 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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158mOhm @ 10.5A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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50 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±25V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1735 pF @ 25 V
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Caractéristique FET
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-
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Dissipation de puissance (Max)
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35W (Tc)
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Température de fonctionnement
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150°C (TJ)
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Grade
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-
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Qualification
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-
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Type de montage
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Trou traversant
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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TO-220FP
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Boîtier / Boîtier
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Numéro de produit de base
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Dessin
Notre avantage :téléphones, PDA, ordinateurs portables
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Liste de produits
Fournir une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, de composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à obtenir tout pour la nomenclature du PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,
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Fort en marque :
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