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Shenzhen Wonder-Chip Electronics Company Limited

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2SD1803S-H

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2SD1803S-H
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Polarité du transistor :NPN, PNP
Catégorie de produit :Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :À travers le trou
Courant maximal du collecteur CC :8 A, - 8 A
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :50 V, - 50 V
Emballage / boîtier :TO-251-3
Température de fonctionnement maximum :+ 150 C
Gain Bandwidth Produit fT :180 MHz, 130 MHz
Configuration :Unique
Le collecteur de tension de base VCBO :60 V, - 60 V
Série :2SD1803
Émetteur - tension de base VEBO :6 V, - 6 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :220 mV, - 280 mV
Fabricant :un demi
Définition :Transistors bipolaires - BJT BIP NPN 5A 50V
Le stock :En stock
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