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Shenzhen Wonder-Chip Electronics Company Limited

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BD435G

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BD435G
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Polarité du transistor :NPN
Catégorie de produit :Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :À travers le trou
Courant maximal du collecteur CC :4 A
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :32 V
Emballage / boîtier :TO-225-3
Température de fonctionnement maximum :+ 150 C
Gain Bandwidth Produit fT :3 mégahertz
Configuration :Unique
Le collecteur de tension de base VCBO :32 V
Série :BD435
Émetteur - tension de base VEBO :5 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :500 système mv
Fabricant :un demi
Définition :Transistors bipolaires - BJT BIP NPN 4A 22V
Le stock :En stock
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Mots clés du produit:

BD435G

BD435

gb t18287-2000
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