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Shenzhen Wonder-Chip Electronics Company Limited

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Transistors à circuits intégrés BSM15GD120DLCE3224

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China Transistors à circuits intégrés BSM15GD120DLCE3224 wholesale
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Transistors à circuits intégrés BSM15GD120DLCE3224
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Définition :Modules IGBT N-CH 1,2 KV 35A
Le stock :En stock
Courant de fuite de l' émetteur de porte :Na 400
Catégorie de produit :Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 ° C :35 A
Palladium - dissipation de puissance :145 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier :ÉconoPACK 2A
Température de fonctionnement maximale :+ 125 °C
Emballage :Le rouleau
Configuration :Hex.
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :2,1 V
Produit :Modules de silicium d'IGBT
Fabricant :Infineon Technologies
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