Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de gain pour l'amplification de la puissance RF

Demander le dernier prix

Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

Statut du produit :Dépassé

Type de montage :Monture de surface

Voltage - Nominal :65 V

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Figure du bruit :-

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :H-37260-2

Tension - essai :30 V

Mfr :Infineon Technologies

Fréquence :2.14 GHz

Les gains :150,8 dB

Emballage / boîtier :2-Plaquette, à nageoires de nageoires, à flancs

Actuel - essai :1,6 A

Puissance - Sortie :50 W

Technologie :ldmos

Rating de courant (ampères) :10µA

Numéro du produit de base :Les États membres doivent:

Définition :IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

RF Mosfet 30 V 1,6 A 2,14 GHz 15,8 dB 50 W H-37260-2

Inquiry Cart 0

Circuits intégrés