Transistor bipolaire PNP obsolète 50V 100mA Ic SOT-23-3 Monture de surface 246mW Puissance maximale

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 MA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :PNP - Pré-participation

Type de montage :Monture de surface

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :250 mV @ 300 μA, 10 mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe

Résistance - Base (R1) :22 kOhms

Mfr :Uniseme

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :22 kOhms

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :500 nA

Puissance maximale :246 mW

Emballage / boîtier :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :60 @ 5mA, 10V

Numéro du produit de base :Le numéro de téléphone

Définition :Trans Prebias PNP 246 MW SOT23-3

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 246 mW Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)

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Transistor bipolaire PNP obsolète 50V 100mA Ic SOT-23-3 Monture de surface 246mW Puissance maximale

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