Transistors de montage de surface LDMOS RF FET 110V 60W obsolètes 1GHz 18dB Gain pour l'amplification RF

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

Statut du produit :Dépassé

Type de montage :Monture de surface

Voltage - Nominal :110 V

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Figure du bruit :-

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :4-HSOP

Tension - essai :50 V

Mfr :Ampleon États-Unis Inc.

Fréquence :1 GHz

Les gains :18dB

Emballage / boîtier :4-BESOP (0,173", 4,40 mm de largeur)

Actuel - essai :40 mA

Puissance - Sortie :60 W

Technologie :ldmos

Rating de courant (ampères) :1,4µA

Numéro du produit de base :Le BLP10

Définition :Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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RF Mosfet 50 V 40 mA 1 GHz 18 dB 60W 4-HSOP

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