Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.

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FET RF LDMOS obsolète Transistor à 2,3 GHz 16W Chassis de puissance Montage 65V Double configuration

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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FET RF LDMOS obsolète Transistor à 2,3 GHz 16W Chassis de puissance Montage 65V Double configuration

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit :Dépassé
Type de montage :Montage du châssis
Voltage - Nominal :65 V
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Configuration :Dual
Série :-
Figure du bruit :-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Pour les appareils de surveillance de la santé
Tension - essai :28 V
Mfr :NXP États-Unis Inc.
Fréquence :2.3GHz
Les gains :140,6 dB
Emballage / boîtier :Pour les appareils de surveillance de la santé
Actuel - essai :280 mA
Puissance - Sortie :16 W
Technologie :ldmos
Rating de courant (ampères) :-
Numéro du produit de base :Résultats de l'enquête
Définition :FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
Le stock :En stock
Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
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RF Mosfet 28 V 280 mA 2,3 GHz 14,6 dB 16W NI-780-4
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