1.05GHz Puissance RF de silicium MOSFET Série V pour les applications RF de montage de surface de gain

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS

Statut du produit :Actif

Type de montage :Monture de surface

Voltage - Nominal :150 V

Le paquet :Produits en vrac

Configuration :-

Série :V

Figure du bruit :-

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :55-KR

Tension - essai :54 V

Mfr :Technologie des puces

Fréquence :1Pour les appareils de surveillance de l'environnement:

Les gains :190,3 dB

Emballage / boîtier :55-KR

Actuel - essai :120 mA

Puissance - Sortie :825 W

Technologie :-

Rating de courant (ampères) :-

Définition :Trans, GAN, 1030/1090 MHz, 800 W,

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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RF Mosfet 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825W 55-KR

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