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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 MA
Statut du produit :Actif
Type de transistor :NPN - Pré-décentré
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Série :-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :VESM
Résistance - Base (R1) :47 kOhms
Mfr :Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :22 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :500 nA
Puissance maximale :150 mW
Emballage / boîtier :SOT-723
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :70 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base :RN1109
Définition :Le système de régulation de la fréquence de l'électricité doit être conforme à la norme ISO/IEC 1701
Le stock :En stock
Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
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