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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ville:hong kong

Pays / Région:china

Contact:MrTom Guo

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China Transport passif électronique bipolaire NPN 80V 1A du transistor BCP56-16T1G des composants SOT223 wholesale

Transport passif électronique bipolaire NPN 80V 1A du transistor BCP56-16T1G des composants SOT223

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Number modèle :BCP56-16T1G

Point d'origine :La Chine

Quantité d'ordre minimum :>=2pcs

Conditions de paiement :LC, D/A, D/P, Western Union, T/T, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement :60000 acres/acres par 2-3Days

Délai de livraison :jours 1-4Work

Détails de empaquetage :L'usine originale du joint la garniture avec les types standard : tube, plateau, bande et bobine, bo

Description détaillée :Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 (TO-261) de 130MHz 1,5 W

Statut de produit :Actif

Paquet/cas :TO-261-4, TO-261AA

Puissance - Max :1,5 W

Fréquence - Transition :130MHz

Tension d'opération :80V

Température de fonctionnement :-65°C ~ 150°C (TJ)

Nombre bas de produit :BCP56

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Composants électroniques (BJT) de transistor bipolaire du transport NPN 80V 1A SOT223 de BCP56-16T1G

DESCRIPTION DE PRODUIT

Ces transistors épitaxiaux de silicium de NPN sont conçus pour l'usage dans des applications d'amplificateur audio. Le dispositif est logé dans le paquet SOT−223, qui est conçu pour des applications de bâti de surface de puissance moyenne.

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

Statut de produit	Actif
Type de transistor	NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum)	1 A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)	80 V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC	500mV @ 50mA, 500mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum)	100nA (ICBO)
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce	100 @ 150mA, 2V
Puissance - maximum	1,5 W
Fréquence - transition	130MHz
Température de fonctionnement	-65°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet/cas	TO-261-4, TO-261AA
Paquet de dispositif de fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Nombre bas de produit	BCP56