Circuits intégrés analogues IR2103PBF PDIP-8 de la gestion IC de puissance de l'isolant IC
Les IR2103 sont transistor MOSFET à haute tension et à grande vitesse de puissance et les conducteurs d'IGBT avec le côté dépendant de ciel et terre ont mis en référence des canaux de sortie. HVIC de propriété industrielle et verrouiller des technologies immunisées de CMOS permettent la construction monolithique robuste. L'entrée de logique est compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas à la logique 3.3V. Les conducteurs de sortie comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix-conduction minimum de conducteur. Le canal de flottement peut être utilisé pour conduire un transistor MOSFET ou un IGBT de puissance de N-canal dans la configuration latérale élevée qui actionne jusqu'à 600 volts.

Caractéristiques d'appli

Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce complètement opérationnelle à +600V tolérant à la tension passagère négative dV/dt immunisée
Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 10 à 20V
Lock-out de sousvoltage pour les deux canaux
logique de l'entrée 3.3V et 5V compatible
Retard de propagation assorti pour les deux canaux
La terre de logique et de puissance +/- compensation 5V.
Conducteur inférieur de porte de di/dt pour une meilleure immunité de bruit
Source de sortie/capacité actuelle 1.4A/1.8A d'évier
SANS PLOMB en outre disponible (PbF)

L'IR 2181(4) (s) sont transistor MOSFET à haute tension et à grande vitesse de puissance et les conducteurs d'IGBT avec le côté indépendant de ciel et terre ont mis en référence des canaux de sortie. Pro ? HVIC prietary et verrouiller des technologies immunisées de CMOS permettent le rugge ? construction monolithique dized. L'entrée de logique est compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas à la logique 3.3V. Les conducteurs de sortie comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix minimum de conducteur ? conduction. Le canal de flottement peut être utilisé pour conduire un transistor MOSFET ou un IGBT de puissance de N-canal dans la configuration latérale élevée qui actionne jusqu'à 600 volts.

Données de base

Attribut de produit	Valeur d'attribut
Fabricant :	Infineon
Catégorie de produit :	Conducteurs de porte
RoHS :	Détails
Produit :	IGBT, conducteurs de porte de transistor MOSFET
Type :	Du côté haut, du côté bas
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	SOIC-14
Nombre de conducteurs :	Conducteur 2
Nombre de sorties :	Sortie 2
Courant de sortie :	1,8 A
Tension d'alimentation - minute :	10 V
Tension d'alimentation - maximum :	20 V
Temps de montée :	60 NS
Temps de chute :	35 NS
Température de fonctionnement minimum :	- 40 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 125 C
Emballage :	Tube
Marque :	Infineon Technologies
Caractéristiques :	Indépendant
Taille :	1,5 millimètres
Longueur :	8,74 millimètres
Type de logique :	CMOS, TTL
Temps de retard d'arrêt maximum :	220 NS
Temps de retard d'ouverture maximum :	180 NS
Humidité sensible :	Oui
Tension d'alimentation d'opération :	10 V à 20 V
Palladium - dissipation de puissance :	1000 mW
Type de produit :	Conducteurs de porte
Retard de propagation - maximum :	330 NS
	1980
Sous-catégorie :	PMIC - Gestion IC de puissance
Technologie :	SI
Largeur :	3,99 millimètres
Partie # noms d'emprunt :	IR21814SPBF SP001536712
Poids spécifique :	0,057144 onces

FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT

Application

Conducteurs de RVB ou de RGBA LED
Les informations d'état de LED
Affichages à LED
Contre-jours d'affichage à cristaux liquides
Contre-jours de clavier numérique pour des téléphones mobiles ou des dispositifs tenus dans la main
Moteurs de BLDC
Moteurs synchrones à un aimant permanent triphasés
Inverseurs
Demi conducteurs de pont
Systèmes de contrôle robotiques
Appareils
Infrastructure de grille
EPOS • Theate à la maison
Systèmes répartis d'alimentation
Communications/infrastructure de mise en réseau

Processus d'ordre

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Chip Diagram

Mots clés du produit:

igbt gate driver ic

mosfet driver ic

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