produits Fournisseurs Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous Demander un devis
Français
Accueil / produits / Field Effect Transistor /

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1G

Catégories de produits

CI de circuits intégrés

 [2964]

Mémoire IC Puce

 [2994]

Isolant analogue IC

 [2489]

Microcontrôleurs et processeurs incorporés

 [2717]

Transistor à effet de champ

 [1605]

Module d'alimentation IGBT

 [1002]

Triode de diode

 [300]

Condensateur d'usage universel

 [40]

Les connecteurs relie ensemble

 [83]

Inducteur de puissance de SMD

 [100]

Composant de relais

 [112]

Fusibles de protection de circuit

 [186]
Contacter
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Pays / Région:china
Contact:MissVicky
Coordonnées du contact
Contacter
China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1G wholesale
  • China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1G wholesale

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1G
Demander le dernier prix
Numéro de la pièce :NTZD3154NT1G
Fabricant :SUR le semi-conducteur
Description :Transistor MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
more
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Caractéristiques de NTZD3154NT1G

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 540mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 150pF @ 16V
Puissance - maximum 250mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas SOT-563, SOT-666
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-563
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de NTZD3154NT1G

Détection

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1GRangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1GRangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1GRangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTZD3154NT1G

Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4