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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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SSM6N35FE, rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LM

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China SSM6N35FE, rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LM wholesale
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SSM6N35FE, rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LM
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Numéro de la pièce :SSM6N35FE, LM
Fabricant :Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description :Transistor MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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SSM6N35FE, caractéristiques de LM

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 180mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 3 ohms @ 50mA, 4V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 9.5pF @ 3V
Puissance - maximum 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas SOT-563, SOT-666
Paquet de dispositif de fournisseur ES6 (1.6x1.6)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

SSM6N35FE, emballage de LM

Détection

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