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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'IRF7331PBF

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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'IRF7331PBF

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Numéro de la pièce :IRF7331PBF
Fabricant :Infineon Technologies
Description :Transistor MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série :HEXFET®
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques d'IRF7331PBF

Statut de partie Cessé à la Digi-clé
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 7A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 30 mOhm @ 7A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1340pF @ 16V
Puissance - maximum 2W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SO
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage d'IRF7331PBF

Détection

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