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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY

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China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY wholesale
  • China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY wholesale

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY
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Numéro de la pièce :BLP05H635XRY
Fabricant :Ampleon USA Inc.
Description :FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 de RF
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques de BLP05H635XRY

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 108MHz
Gain 27dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 10mA
Puissance de sortie 35W
Tension - évaluée 135V
Paquet/cas SOT-1223-2
Paquet de dispositif de fournisseur 4-HSOPF
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLP05H635XRY

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRYPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP05H635XRY

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