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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Accueil / produits / Field Effect Transistor / Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS6G2735L-30,112 /

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS6G2735L-30,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS6G2735L-30,112
  • Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLS6G2735L-30,112
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Caractéristiques BLS6G2735L-30,112 Statut de partie Actif Type de transistor LDMOS Fréquence 3.1GHz | 3.5GHz Gain 13dB Tension - essai 32V Estimation ...
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