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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Accueil / produits / Field Effect Transistor / Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP8G10S-45PGY /

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP8G10S-45PGY
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP8G10S-45PGY
  • Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLP8G10S-45PGY
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Caractéristiques de BLP8G10S-45PGY Statut de partie Actif Type de transistor LDMOS (double), source commune Fréquence 952.5MHz | 957.5MHz Gain 20.8dB ...
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