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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G

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China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G wholesale
  • China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G wholesale

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de MRF275G
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Numéro de la pièce :MRF275G
Fabricant :Solutions de technologie de M/A-Com
Description :FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques de MRF275G

Statut de partie Actif
Type de transistor Double) source commune de 2 N-canaux (
Fréquence 500MHz
Gain 11.2dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 26A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 150W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas 375-04
Paquet de dispositif de fournisseur 375-04, style 2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de MRF275G

Détection

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