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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMP2018LFK-7 simples

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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMP2018LFK-7 simples

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Numéro de la pièce :DMP2018LFK-7
Fabricant :Diodes incorporées
Description :Transistor MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques DMP2018LFK-7

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 9.2A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 113nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 4748pF @ 10V
Vgs (maximum) ±12V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 1W (ventres)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur U-DFN2523-6
Paquet/cas 6-PowerUDFN
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage DMP2018LFK-7

Détection

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