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| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 9.2A (ventres) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.2V @ 200µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 113nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 4748pF @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±12V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 1W (ventres) |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | U-DFN2523-6 |
| Paquet/cas | 6-PowerUDFN |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |


