produits Fournisseurs Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

Manufacturer from China
Membre actif
4 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous Demander un devis
Français
Accueil / produits / IGBT Power Module /

Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simple

Catégories de produits

CI de circuits intégrés

 [2722]

Mémoire IC Puce

 [2976]

Isolant analogue IC

 [2489]

Microcontrôleurs et processeurs incorporés

 [2668]

Transistor à effet de champ

 [1586]

Module d'alimentation IGBT

 [963]

Triode de diode

 [291]

Condensateur d'usage universel

 [40]

Les connecteurs relie ensemble

 [83]

Inducteur de puissance de SMD

 [96]

Composant de relais

 [112]

Fusibles de protection de circuit

 [178]
Contacter
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Pays / Région:china
Contact:MissVicky
Coordonnées du contact
Contacter
China Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simple wholesale
  • China Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simple wholesale

Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simple
Demander le dernier prix
Numéro de la pièce :STGWA80H65DFB
Fabricant :STMicroelectronics
Description :IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Catégorie :Transistors - IGBTs - simples
Famille :Transistors - IGBTs - simples
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
more
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Caractéristiques de STGWA80H65DFB

Statut de partie Actif
Type d'IGBT Arrêt de champ de fossé
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 650V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 120A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) 240A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 2V @ 15V, 80A
Puissance - maximum 469W
Énergie de changement 2.1mJ (dessus), 1.5mJ ()
Type d'entrée Norme
Charge de porte 414nC
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C 84ns/280ns
Condition d'essai 400V, 80A, 10 ohms, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) 85ns
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet/cas TO-247-3
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247 mène longtemps
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de STGWA80H65DFB

Détection

Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simpleTransistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simpleTransistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simpleTransistors IGBTs de module d'alimentation de STGWA80H65DFB IGBT simple

Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4