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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Puce MT29F32G08CBADBWP de NAND Flash Memory IC de MICRON

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Puce MT29F32G08CBADBWP de NAND Flash Memory IC de MICRON
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Chaîne vidéo
Number modèle :MT29F32G08CBADBWP
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Conditions de paiement :T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :3000000 PIÈCES
Délai de livraison :Négociable
Modèle de produit :MT29F32G08CBADBWP
Paquet de fournisseur :FBGA-96(9x14)
Brève description :SDRAM DDR
Catégorie de produit :FLASH NAND
Domaines d'application :IC de mémoire
Date de fabrication :D'ici un an
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MICRON MT29F32G08CBADBWP de la gestion IC de puissance de NAND Flash Memory Ic Chip

Gamme de produits
  • MICRON MT29F32G08CBADBWP de la gestion IC de puissance de NAND Flash Memory Ic Chip

  • DDR3L SDRAM (1.35V) est une version de basse tension du DDR3 SDRAM (1.5V)

Caractéristiques d'appli
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • Vers l'arrière - compatible à VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
    • Soutient des dispositifs de DDR3L pour être vers l'arrière compatible dans les applications 1.5V
  • Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
  • architecture du prefetch 8n-bit
  • Arrêt nominal et dynamique de sur-matrice (ODT) pour les données, le stroboscope, et les signaux de masque
  • Latence programmable de CAS (LU) (CL)
  • Latence additive signalée programmable de CAS (AL)
  • Latence programmable de CAS (ÉCRIVEZ) (cwl)
  • Longueur éclatée fixe (BL) de 8 et de côtelette d'éclat (puisque)
Données de base
Attribut de produit Valeur d'attribut
MICRON
Catégorie de produit : Conducteurs de porte
RoHS : Détails
Mémoire IC
SMD/SMT
FBGA-96 (9x14)
MT41K256M16HA-125 : E
Bobine
Coupez la bande
Bobine
Marque : MICRON
Humidité sensible : Oui
Type de produit : Conducteurs de porte
2500
Sous-catégorie : NAND Flash
Technologie : SI
Nom commercial : NexFET
Poids spécifique : 0,001686 onces

FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
  • MICRON MT41K256M16HA-125 de NAND Flash Memory Ic Chip RDA SDRAM : E
Application
  • Ultrabook/convertisseurs du carnet DC/DC
  • Vcore multiphasé et solutions de la RDA
  • Mâle synchrone de Point-de-charge dans NetworkingTelecom, et systèmes de calcul
  • Systèmes à piles
  • Applications portatives de HDMI
  • Applications d'USB-OTG
  • Téléphones portables, téléphones intelligents
Processus d'ordre
  • Ajoutez les pièces à la forme de RFQ Soumettez le RFQ Nous répondons d'ici 24 heures
    Vous confirmez l'ordre Paiement Bateau votre ordre

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W25Q256JVEIQ W25Q256JVFIQ W25Q256FVEIG W25Q256FVFIG
W25Q512JVEIQ W25Q512JVFIQ W25Q512JVFIM W25Q512JVEIM

Application
  • Très utilisé dans l'étape
  • Concert
  • vivez à la TV
  • Nouvelle énergie
  • Appareils électroménagers
  • 3C Digital
  • Électronique automobile
  • Instruments de mesure
Chip Diagram

Puce MT29F32G08CBADBWP de NAND Flash Memory IC de MICRONPuce MT29F32G08CBADBWP de NAND Flash Memory IC de MICRONPuce MT29F32G08CBADBWP de NAND Flash Memory IC de MICRON

Mots clés du produit:

nand flash memory chip

nand flash chip

m2 512mb memory stick
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