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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20045C

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China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20045C wholesale
  • China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20045C wholesale

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LET20045C
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Numéro de la pièce :LET20045C
Fabricant :STMicroelectronics
Description :Transistor MOSFET N ch 80V 12A M243 de rf
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques de LET20045C

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2GHz
Gain 13.3dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 12A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 54W
Tension - évaluée 80V
Paquet/cas M243
Paquet de dispositif de fournisseur M243
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de LET20045C

Détection

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