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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI4472DY-T1-GE3 simples

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China Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI4472DY-T1-GE3 simples wholesale
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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI4472DY-T1-GE3 simples
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Numéro de la pièce :SI4472DY-T1-GE3
Fabricant :Vishay Siliconix
Description :Transistor MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques SI4472DY-T1-GE3

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 150V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 7.7A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1735pF @ 50V
Vgs (maximum) ±20V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 3.1W (merci), 5.9W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 45 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SO
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage SI4472DY-T1-GE3

Détection

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