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Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 150mA (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 100pF @ 10V |
Vgs (maximum) | ±8V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 625mW (ventres) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 8 ohms @ 150mA, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | SC-89-3 |
Paquet/cas | SC-89, SOT-490 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |