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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STP200NF03 simples

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China Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STP200NF03 simples wholesale
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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ STP200NF03 simples
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Numéro de la pièce :STP200NF03
Fabricant :STMicroelectronics
Description :Transistor MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série :STripFET™ III
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques STP200NF03

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 120A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 140nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 4950pF @ 25V
Vgs (maximum) ±20V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 300W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 3,6 mOhm @ 60A, 10V
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur TO-220AB
Paquet/cas TO-220-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage STP200NF03

Détection

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