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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Le fournisseur de tache en Chine, YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd a été établi en 2008. Un des plus grands distributeurs de composants électroniques à Hong Kong et à Shenzhen, China.YDJN fournit une gamme

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Transistors simples 1200V 170A 962W TO247 de module d'APT85GR120B2 IGBT

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Transistors simples 1200V 170A 962W TO247 de module d'APT85GR120B2 IGBT
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Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
Numéro de la pièce :APT85GR120B2
Fabricant :Microsemi Corporation
Description :IGBT 1200V 170A 962W TO247
Catégorie :Transistors - IGBTs - simples
Famille :Transistors - IGBTs - simples
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Transistors IGBTs de module d'alimentation d'APT85GR120B2 IGBT simple

Caractéristiques APT85GR120B2

Statut de partie Actif
Type d'IGBT TNP
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 1200V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 170A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) 340A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 3.2V @ 15V, 85A
Puissance - maximum 962W
Énergie de changement 6mJ (dessus), 3.8mJ ()
Type d'entrée Norme
Charge de porte 660nC
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C 43ns/300ns
Condition d'essai 600V, 85A, 4,3 ohms, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet/cas TO-247-3
Paquet de dispositif de fournisseur T-MAX™
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.
 

Emballage APT85GR120B2

Détection

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