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le PDTC114ET,215

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Pays / Région:china
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le PDTC114ET,215

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 MA
Statut du produit :Actif
Type de transistor :NPN - Pré-décentré
Fréquence - Transition :230 mégahertz
Type de montage :Monture de surface
le paquet :Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série :-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :150 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Pour les véhicules à moteur
Résistance - Base (R1) :10 kOhms
Mfr :Nexperia États-Unis Inc.
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :1µA
Puissance maximale :250mW
Emballage / boîtier :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :30 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base :Le PDTC114
Définition :Trans Prebias NPN 250 MW à 236 AB
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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Monture de surface TO-236AB
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