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MJD45H11G

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Ville:hong kong
Pays / Région:china
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MJD45H11G

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Polarité de transistor :PNP
Catégorie de produits :Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal :8 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :80 V
Emballage / boîtier :TO-252-3
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain :90 mégahertz
Configuration :Unique
Tension de collecteur-base VCBO :5 V
Série :MJD45H11
Tension basse VEBO d'émetteur :5 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur :1V
Produit de fabrication :un demi
Définition :Transistors bipolaires - BJT 8A 80V 20W PNP
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