Polarité de transistor :N-canal
Technologie :GaN SiC
Catégorie de produits :Transistors RF JFET
Mode de montage :Je vais me faire foutre!
Les gains :DB 20
Type de transistor :HEMT
Puissance de sortie :70 W
Emballage / boîtier :NI-360
Température de fonctionnement maximale :+ 85 °C
Vds - tension claque de Drain-source :50 V
emballage :Plateau
Identification - courant continu de drain :2,5 A
Vgs - Tension de rupture de la porte-source :145 V
Pd - Dissipation de l'énergie :64 W
Produit de fabrication :Qorvo
Définition :Transistors RF JFET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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