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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence

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China Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence wholesale
  • China Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence wholesale

Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence
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Numéro de type :RD100HHF1
Point d'origine :LE JP
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :emballage standard d'usine
Vidangez à la tension de source :50V
Porte à la tension de source :20V
Dissipation de la Manche :176.5W
Puissance d'entrée :12.5W
Vidangez actuel :25A
Température de stockage :-40 à +175°C
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Type transistor du transistor MOSFET RD100HHF1 spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence

 

CARACTÉRISTIQUES

• Puissance et à gain élevé élevés : Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V, f=30MHz

• Rendement élevé : bande 60%typ.on À HAUTE FRÉQUENCE

 

APPLICATION

Pour l'étape de sortie des amplificateurs de puissance élevée dans réunissez À HAUTE FRÉQUENCE les postes radio mobiles.

 

Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence

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