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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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transistor de puissance de transistor MOSFET

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 transistor de puissance de transistor MOSFET
China Fréquence du transistor de puissance de transistor MOSFET de BLF178XR 28dB 50V 40mA 108MHz for sale

Fréquence du transistor de puissance de transistor MOSFET de BLF178XR 28dB 50V 40mA 108MHz

Transistor MOSFET LDMOS (double), source commune 50V 40mA 108MHz 28dB 1400W SOT539A de BLF178XR rf 1. 1 description générale Un transistor 1400 de ......
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China Transistor de puissance de transistor MOSFET de BLF188XR rf 108MHz 24.4dB 1400W SOT539A for sale

Transistor de puissance de transistor MOSFET de BLF188XR rf 108MHz 24.4dB 1400W SOT539A

Transistor MOSFET LDMOS (double), source commune 50V 40mA 108MHz 24.4dB 1400W SOT539A de BLF188XR rf Caractéristiques la livraison de haute puissance ...
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China Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute for sale

Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute

FET intérieurement assorti de bande x de transistor de puissance de FLM0910-25F rf DESCRIPTION Le FLM0910-25F est un FET de la puissance GaAs qui est ...
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China Remplacement à bande large de transistor de la Manche de MRF151G rf N pour BLF278 for sale

Remplacement à bande large de transistor de la Manche de MRF151G rf N pour BLF278

Transistor 500W, 50V, remplacement à bande large d'effet de champ de puissance de MRF151G rf de transistor MOSFET du N-canal 175MHz pour BLF278 Caract...
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China Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence for sale

Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence

Le type transistor du transistor MOSFET RD100HHF1 a spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateurs de puissance élevée d'à haute fr......
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China Remplacement RA60H4452M1-101 de transistor d'ampère d'étape de H2M 2 pour la radio mobile for sale

Remplacement RA60H4452M1-101 de transistor d'ampère d'étape de H2M 2 pour la radio mobile

RA60H4452M1-101 440-520MHz 60W 12.5V, 2 présentent le transistor de puissance d'ampère pour la RADIO MOBILE DESCRIPTION Le RA60H4452M1 est un module d...
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China 45 norme du CEI du transistor RA45H8994M1-101 d'ampère de puissance d'étape du watt 12.8V 2 for sale

45 norme du CEI du transistor RA45H8994M1-101 d'ampère de puissance d'étape du watt 12.8V 2

RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V, 2 présentent le transistor de l'ampère rf pour la RADIO MOBILE DESCRIPTION Le RA45H8994M1 est un module d...
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China Transistor de puissance du transistor MOSFET RA03M8087M-101 pour le paquet de la radio portative H46S for sale

Transistor de puissance du transistor MOSFET RA03M8087M-101 pour le paquet de la radio portative H46S

RA03M8087M-101 806-870MHz 3.6W 7.2V, 2 présentent le transistor d'Amp. RF Power pour la RADIO PORTATIVE Description Le RA03M8087M est un module d...
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China Transistor de puissance de transistor MOSFET de RA30H1317M pour la radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V for sale

Transistor de puissance de transistor MOSFET de RA30H1317M pour la radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V

Transistor de transistor MOSFET de puissance de RA30H1317M pour l'usage par radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V DESCRIPTION Le RA30H1317M est un module ...
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China Transistor de puissance de transistor MOSFET de rendement élevé 28.5dB 108MHz BLF174XR rf for sale

Transistor de puissance de transistor MOSFET de rendement élevé 28.5dB 108MHz BLF174XR rf

Transistor MOSFET LDMOS (double), source commune 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A de BLF174XR rf 600 transistor de puissance extrêmement ...
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