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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Koben.

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transistor de puissance de transistor MOSFET

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
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 transistor de puissance de transistor MOSFET
China Fréquence du transistor de puissance de transistor MOSFET de BLF178XR 28dB 50V 40mA 108MHz for sale

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Transistor MOSFET LDMOS (double), source commune 50V 40mA 108MHz 28dB 1400W SOT539A de BLF178XR rf 1. 1 description générale Un transistor 1400 de ......
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China Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute for sale

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Transistor 500W, 50V, remplacement à bande large d'effet de champ de puissance de MRF151G rf de transistor MOSFET du N-canal 175MHz pour BLF278 Caract...
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China Transistor de puissance de transistor MOSFET de RD100HHF1 25A 12.5W pour des amplificateurs de puissance élevée d'à haute fréquence for sale

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Le type transistor du transistor MOSFET RD100HHF1 a spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateurs de puissance élevée d'à haute fr......
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China Transistor de puissance du transistor MOSFET RA03M8087M-101 pour le paquet de la radio portative H46S for sale

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RA03M8087M-101 806-870MHz 3.6W 7.2V, 2 présentent le transistor d'Amp. RF Power pour la RADIO PORTATIVE Description Le RA03M8087M est un module d...
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China Transistor de puissance de transistor MOSFET de RA30H1317M pour la radio mobile 135-175MHz 30W 12.5V for sale

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China Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 rf LDMOS for sale

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China watt MRFE6VP5600HR5 du transistor LDMOS 600 de transistor MOSFET de 100mA 230MHz rf for sale

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China transistor de puissance de transistor MOSFET de 50V 350mA 18 W LDMOS MRF6V3090NBR1 22dB for sale

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Transistor MOSFET LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-272 WB-4 de MRF6V3090NBR1 rf Conçu pour l'émission et les applications à bande large aérospatiale...
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China Transistor de carbure de silicium du transistor de puissance de RD06HVF1 rf 175MHz 6W pour des amplificateurs for sale

Transistor de carbure de silicium du transistor de puissance de RD06HVF1 rf 175MHz 6W pour des amplificateurs

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