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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Transistor de carbure de silicium du transistor de puissance de RD06HVF1 rf 175MHz 6W pour des amplificateurs

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
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China Transistor de carbure de silicium du transistor de puissance de RD06HVF1 rf 175MHz 6W pour des amplificateurs wholesale
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Transistor de carbure de silicium du transistor de puissance de RD06HVF1 rf 175MHz 6W pour des amplificateurs
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Numéro de type :RD06HVF1
Point d'origine :CN
Quantité d'ordre minimum :50 pièces
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10Kpcs par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :tube en plastique
État des marchandises :Tout neuf
Statut de la pièce :Actif
Sans plomb / Rohs :Plainte
Fonction :AMP
Type de montage :à travers le trou
Forfait :TO220
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Transistor de silicium de transistor MOSFET de PUISSANCE de RD06HVF1 rf 175MHz 6W pour des applications d'amplificateurs

 

Description de RD06HVF1

RD06HVF1 est un type transistor de FET de MOS spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateurs de puissance de VHF rf

 

CARACTÉRISTIQUES de RD06HVF1

Gain de puissance élevée : Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V, f=175MHz

 

APPLICATION de RD06HVF1

Pour l'étape de sortie des amplificateurs de puissance élevée dans les postes radio mobiles de bande de VHF.

 

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