Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute

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Numéro de type :FLM0910-25F
Point d'origine :LE JP
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :emballage standard d'usine
Tension de Drain-source :15V
Tension de Porte-source :-5V
Dissipation de puissance totale :93.7W
Température de stockage :-65 à +175℃
La température de la Manche :175℃
Courant maximum de drain :16.2A
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La bande x de transistor de puissance de FLM0910-25F rf intérieurement a assorti le FET

 

DESCRIPTION

 

Le FLM0910-25F est un FET de la puissance GaAs qui est intérieurement les bandes standard de communication de matchedfor pour fournir la puissance et le gain optima dans un 50Ωsystem

 


 

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Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute 

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