produits Fournisseurs Sign in Register

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Koben.

Manufacturer from China
Membre du site
9 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous Demander un devis
Français
Accueil / produits / Mosfet Power Transistor / Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute /

show pictures

Catégories de produits

Puce d'IC de circuit intégré

 [781]

Puce programmable d'IC

 [38]

puce électronique d'IC

 [98]

Unité de microcontrôleur de MCU

 [46]

transistor de puissance de transistor MOSFET

 [67]

Condensateur d'usage universel

 [35]

Module de puissance IGBT

 [22]

commutateur de relais de puissance

 [22]

Inducteur de perle de ferrite

 [11]

Oscillateur extérieur de bâti

 [14]

Pièces d'inverseur à rappel

 [6]

puce haute puissance conduit

 [5]

Varistance

 [4]
Contacter
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrZhu
Coordonnées du contact
Contacter

Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute
Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute
  • Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute
  • Performance élevée du FET 93.7W de transistor de la puissance rf de bande x de FLM0910-25F haute
produits détaillés
La bande x de transistor de puissance de FLM0910-25F rf intérieurement a assorti le FET DESCRIPTION Le FLM0910-25F est un FET de la puissance GaAs qui ...
voir produits détaillés →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4