Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 rf LDMOS

Transistor MOSFET LDMOS (double) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 rf

Ces dispositifs élevés de rugosité sont conçus pour l'usage dans haut VSWR des applications mobiles industrielles (les excitateurs y compris de laser et de plasma), d'émission (analogue et numérique), aérospatiales et par radio/terre. Ils sont des conceptions inégalées d'entrée et sortie permettant l'utilisation large de plage de fréquence, entre 1,8 et 600 mégahertz

Caractéristiques

• Entrée et sortie inégalée permettant l'utilisation large de plage de fréquence

• Le dispositif peut être célibataire utilisé--Fini ou dans une poussée--Configuration de traction

• Qualifié jusqu'à un maximum d'opération de 50 VDD

• Caractérisé de 30 V à 50 V pour la chaîne de puissance prolongée

• Approprié à l'application linéaire avec polariser approprié

• Protection intégrée d'ESD

• Une plus grande porte négative--Chaîne de tension de source pour l'opération améliorée de la classe C

• Caractérisé avec l'équivalent de série grand--Paramètres d'impédance de signal

• RoHS conforme

• Ni--780--4 dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 unités, largeur de bande de 56 millimètres, bobine de 13 pouces. Pour des options de la bande R5 et de la bobine, voir le P. 14.

• Ni--780S--4 dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 unités, largeur de bande de 32 millimètres, bobine de 13 pouces. Pour des options de la bande R5 et de la bobine, voir le P. 14.