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Série de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 TO252 d'IC de circuit intégré de P-CH

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Série de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 TO252 d'IC de circuit intégré de P-CH

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Numéro de type :SUD50P06-15L-E3
Point d'origine :Malaisie
Quantité d'ordre minimum :100 pièces
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :100Kpcs par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :ruban et bobine
État de marchandises :nouvelle marque
Statut de partie :Active
Sans plomb/Rohs :Plainte
Fonction :Transistor MOSFET
Type de support :Surface Mount
Paquet :TO-252
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Série du transistor MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET de puce d'IC du circuit intégré SUD50P06-15L-E3
 
P-canal 60 V (D-S), transistor MOSFET de 175 °C
 
CARACTÉRISTIQUES
1, transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®
2, la température de jonction de 175 °C
3, conforme à RoHS 2002/95/EC directif
 

FabricantVishay Siliconix 
SérieTrenchFET® 
Emballage Bande et bobine (TR)  
Statut de partieActif 
Type de FETP-canal 
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal) 
Vidangez à la tension de source (Vdss)60V 
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C50A (comité technique) 
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V 
Identification de Vgs (Th) (maximum) @3V @ 250µA 
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs165nC @ 10V 
Vgs (maximum)±20V 
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds4950pF @ 25V 
Caractéristique de FET- 
Dissipation de puissance (maximum)3W (merci), 136W (comité technique) 
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs15 mOhm @ 17A, 10V 
Température de fonctionnement-55°C | 175°C (TJ) 
Montage du typeBâti extérieur 
Paquet de dispositif de fournisseurTO-252, (D-PAK) 
Paquet/casTO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63

 
 

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