Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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puce d'IC de circuit intégré de 200V 25A 144W, transistor MOSFET de la Manche d'IRFB5620PBF N par le trou TO-220AB

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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puce d'IC de circuit intégré de 200V 25A 144W, transistor MOSFET de la Manche d'IRFB5620PBF N par le trou TO-220AB

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Numéro de type :IRFB5620PBF
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 50PCS/Standard
Type de FET :N-Canal
Vidangez à la tension de source (Vdss) :200V
Conduisez la tension :10V
Température de fonctionnement :-55°C | 175°C
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Transistor MOSFET 200V 25A 144W de N-canal d'IRFB5620PBF par le trou TO-220AB

Description

Ce transistor MOSFET d'audio de Digital est spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateur audio de classe-d. Ce transistor MOSFET utilise

les dernières techniques de traitement pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium. En outre, charge de porte, corps-diode

la récupération inverse et la résistance interne de porte sont optimisées pour améliorer la représentation principale d'amplificateur audio de classe-d

facteurs tels que l'efficacité, le THD et l'IEM. Les caractéristiques supplémentaires de ce transistor MOSFET sont la jonction 175°C de fonctionnement

la température et capacité répétitive d'avalanche. Ces caractéristiques combinent pour faire à ce transistor MOSFET un très efficace,

dispositif robuste et fiable pour des applications d'amplificateur audio de ClassD

Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 200V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 25A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 72,5 mOhm @ 15A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (maximum) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1710pF @ 50V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 144W (comité technique)
Température de fonctionnement -55°C | 175°C

 

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