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transistor MOSFET de la Manche de 150V 20A 100W N, bâti TO-252 AOD4454 D4454 de surface d'IC de circuit intégré

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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transistor MOSFET de la Manche de 150V 20A 100W N, bâti TO-252 AOD4454 D4454 de surface d'IC de circuit intégré

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Numéro de type :AOD4454
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :100PCS
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 2500PCS/Standard
Type de FET :N-Canal
Vidangez à la tension de source :150V
VGS :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 175°C
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Bâti extérieur TO-252 du transistor MOSFET 150V 20A 100W de N-canal d'AOD4454 D4454

Description générale

L'AOD4454 combine la technologie avancée de transistor MOSFET de fossé avec un bas paquet de résistance pour fournir extrêmement - le bas RDS (DESSUS). Ce dispositif est idéal pour des convertisseurs de poussée et des redresseurs synchrones pour le consommateur, les télécom, les alimentations d'énergie industrielles et le contre-jour de LED.

Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 150V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3A (merci), 20A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 94 mOhm @ 10A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (maximum) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 985pF @ 75V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 2.5W, 100W
Température de fonctionnement -55°C | 175°C
Montage du type Bâti extérieur

 

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