Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Par la puce d'IC de circuit intégré de commutation de trou, transistor MOSFET de puissance de la Manche de N 110 watts

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Par la puce d'IC de circuit intégré de commutation de trou, transistor MOSFET de puissance de la Manche de N 110 watts

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Numéro de type :STM32F051K6U6
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 50PCS/Standard
Type de FET :N-Canal
Vidangez à la tension de source :60V
Conduisez la tension :10V
Température de fonctionnement :-55°C | 175°C
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Transistor MOSFET 60V 60A 110W (comité technique) de puissance du N-canal STP65NF06 par l'application de commutation de trou

Description

Ce transistor MOSFET de puissance est le dernier développement du processus basé sur bande de ™ unique « de taille de caractéristique simple » de STMicroelectronics. Le transistor en résultant montre la densité d'intégration extrêmement élevée pour le bas onresistance, les caractéristiques rocailleuses d'avalanche et les étapes moins critiques d'alignement donc une reproductibilité de fabrication remarquable.

Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 60A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (maximum) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1700pF @ 25V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 110W (comité technique)
Température de fonctionnement -55°C | 175°C

 

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