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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Bâti DPAK FDD10N20LZTM de surface de la puce 200V 7.6A 83W d'IC de circuit intégré de transistor MOSFET de la Manche de N

Catégories de produits

Puce d'IC de circuit intégré

 [1016]

Puce programmable d'IC

 [57]

puce électronique d'IC

 [139]

Unité de microcontrôleur de MCU

 [56]

transistor de puissance de transistor MOSFET

 [86]

Condensateur d'usage universel

 [48]

Module de puissance IGBT

 [26]

commutateur de relais de puissance

 [22]

Inducteur de perle de ferrite

 [14]

Oscillateur extérieur de bâti

 [16]

Pièces d'inverseur à rappel

 [6]

puce haute puissance conduit

 [6]

Varistance

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrZhu
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China Bâti DPAK FDD10N20LZTM de surface de la puce 200V 7.6A 83W d'IC de circuit intégré de transistor MOSFET de la Manche de N wholesale
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Bâti DPAK FDD10N20LZTM de surface de la puce 200V 7.6A 83W d'IC de circuit intégré de transistor MOSFET de la Manche de N
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Numéro de type :FDD10N20LZTM
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :Le plus petit emballage/nous contactent
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 2500PCS/Standard
Type de FET :N-Canal
Vidangez à la tension de source (Vdss) :200V
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C
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Bâti extérieur DPAK du transistor MOSFET 200V 7.6A 83W de N-canal de FDD10N20LZTM

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